Zusätzlich zum Ersetzen eines Gitteratoms durch ein Atom der Gruppe 3 können wir es auch durch ein Atom mit fünf Valencelektronen ersetzen, wie z.B. die Gruppe 5 Atome Arsen (As) oder Phosphor (P).In diesem Fall, fügt die Verunreinigung fünf Valencelektronen zum Gitter hinzu, wo sie nur vier halten kann. Dies bedeutet, dass es jetzt ein überschüssiges Elektron im Gitter gibt (siehe Abbildung unten).Weil es ein Elektron spendet., eine Verunreinigung der Gruppe 5 wird als Spender bezeichnet.
Spenderverunreinigungen spenden negativ geladene Elektronen an das Gitter, so dass ein Halbleiter, der mit einem Spender doppiert wurde, ein N-Typ Halbleiter genannt wird; "n" steht für negativ.Die Zahl der freien Elektronen übersteigt die der Löcher in einem Material des Typs n., also sind die Elektronen die Mehrheit der Träger und Löcher sind die Minderheit der Träger.
[p-n-Verbindungsdioden bestehen aus zwei benachbarten Teilen von Halbleitern des P- und N-Typs.mit atomaren VerunreinigungenDer Prozeß der gezielten Zugabe von Verunreinigungen an Materialien wird Doping genannt.Halbleiter mit Verunreinigungen werden als "doppierte Halbleiter" bezeichnet.]
Zusätzlich zum Ersetzen eines Gitteratoms durch ein Atom der Gruppe 3 können wir es auch durch ein Atom mit fünf Valencelektronen ersetzen, wie z.B. die Gruppe 5 Atome Arsen (As) oder Phosphor (P).In diesem Fall, fügt die Verunreinigung fünf Valencelektronen zum Gitter hinzu, wo sie nur vier halten kann. Dies bedeutet, dass es jetzt ein überschüssiges Elektron im Gitter gibt (siehe Abbildung unten).Weil es ein Elektron spendet., eine Verunreinigung der Gruppe 5 wird als Spender bezeichnet.
Spenderverunreinigungen spenden negativ geladene Elektronen an das Gitter, so dass ein Halbleiter, der mit einem Spender doppiert wurde, ein N-Typ Halbleiter genannt wird; "n" steht für negativ.Die Zahl der freien Elektronen übersteigt die der Löcher in einem Material des Typs n., also sind die Elektronen die Mehrheit der Träger und Löcher sind die Minderheit der Träger.
[p-n-Verbindungsdioden bestehen aus zwei benachbarten Teilen von Halbleitern des P- und N-Typs.mit atomaren VerunreinigungenDer Prozeß der gezielten Zugabe von Verunreinigungen an Materialien wird Doping genannt.Halbleiter mit Verunreinigungen werden als "doppierte Halbleiter" bezeichnet.]
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